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TSMC 90nmプロセスでStrained Siliconを提供 TSMCは90nmプロセス以降でStrained Silicon (歪シリコン)を採用することを明らかにしたようだ。Strained SiliconはIntelが90nm、IBMも65nmプロセスから導入する予定。TSMCでは、90nm及び65nmのオプションとして、SOIやStrained Siliconを提供する計画であるという。TSMCは現在0.13μプロセスを立ち上げており、90nmプロセスによる限定的な製造が年内に開始、65nmについては2004年Q4に試験段階へと進む計画とされている。65nmプロセスでは90nmと同様、銅配線及びLow-k材料を使用、初期にはゲート絶縁膜に酸化シリコンを用いるが将来的にはHigh-K材料を導入する計画であるようだ。 Source: SiliconStrategies
April 23, 2003 | ||