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Intel 将来にはSOI導入の可能性も
Intelは、300mmウェハーを用いた90nmプロセスが急速に立ち上がっていることを示したほか、将来SOIを使用する可能性があると語っているようだ。90nmプロセスで導入するStrained Silicon技術については、トランジスタの速度を10%程度向上でき、65nm世代、また45nm世代でも効果を挙げられるかもしれないという。さらに、Intelでは将来においてSOIを用いるという考えも除外してはいないとされ、45nm世代あたりでSOIが導入される可能性もあるようだ。
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