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AMD 45nmでは'high-k'の使用に依存しない方針
AMDは90nmチップのサンプル出荷を2004年Q2より開始する計画のようだ。AMDでは、90nmプロセス製造の次期Opteron及びAhtlon 64プロセッサを2004年後半にリリースする予定。チップはFab 30において、200mmウェハーを用いて製造される。
一方、AMDはIEDMにおいて、将来プロセッサで使用する次世代SOIトランジスタについて述べている。これによると、AMDは新たなトランジスタの設計にトリプルゲート構造を用い、45nmノード用に調整しているが、これは20nm以下まで縮小できるとされる。また、AMDは45nmプロセスに関し、'high-k'ゲート絶縁材料の使用には頼らない方針と言っているという。High-kゲート絶縁膜はIntelが45nmで導入する計画だが、AMDでは、これには性能面への悪影響が見られたとしているようだ。トリプルゲート構造を用いるこのトランジスタは、次世代のFDSOI (完全空乏型SOI)、ニッケルシリサイドベースのメタルゲート、及び"Locally strained channel"と呼ばれるStrained Silicon技術を使用して製造される。
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